Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RFN3BGE6STL
SUPER FAST RECOVERY DIODE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFN3BGE6STL
RFN3BGE6STL Hakkında
RFN3BGE6STL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 600V 3A kapasiteli bir super fast recovery diyottur. TO-252 (DPak) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 30 ns'lik düşük reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Forward voltajı 3A'de 1.55V, maksimum ters voltajı 600V'tur. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu diyot, güç kaynakları, DC-DC konverterler, inverterler ve motor kontrol devreleri gibi hızlı doğrultma gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Düşük termal direnç karakteristiği sayesinde yüksek akım uygulamalarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55 V @ 3 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok