Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RFN3BGE2STL
SUPER FAST RECOVERY DIODE. RFN3B
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFN3B
RFN3BGE2STL Hakkında
RFN3BGE2STL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen super fast recovery diyottur. 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ve 200V ters voltaj derecelendirmesiyle tasarlanmıştır. 25ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, SMPS devreleri, motor kontrol uygulamaları ve yüksek frekanslı doğrultma devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 980mV ön voltaj düşüşü ile verimli enerji dönüşümü sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 150°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252GE |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 980 mV @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok