Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RFN10NS8DFHTL
SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFN10NS8DF
RFN10NS8DFHTL Hakkında
RFN10NS8DFHTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 800V 10A kapasiteli super fast recovery diyottur. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 40 ns reverse recovery time özelliğine sahiptir. 150°C'ye kadar junction sıcaklığında çalışabilir ve 5A akımda maksimum 2.1V forward voltaj düşüşü gösterir. AEC-Q sertifikasyonuna sahip olup, anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürme uygulamalarında, inverterlerde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 10 µA @ 800V ters sızıntı akımı ile düşük kaybın tercih edildiği devrelerde tercih edilen bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 800 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 150°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | LPDS |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.1 V @ 5 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok