Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RFN10NS6SFHTL
FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFN10NS6SFHTL
RFN10NS6SFHTL Hakkında
RFN10NS6SFHTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 600V 10A kapasiteli hızlı iyileşme diyotudur. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu diyot, 50 ns reverse recovery time ile karakterize edilmiştir. 1.55V forward voltage ve 10µA reverse leakage current özelliklerine sahiptir. Güç kaynakları, şarj devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve doğrultma devreleri için tasarlanmıştır. -40°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Surface mount uygulamalarında düşük ısıl direnç sağlayan D²Pak kasa yapısı, yüksek akım uygulamalarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 169pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | LPDS |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok