Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RFN10BGE6STL
SUPER FAST RECOVERY DIODE. RFN10
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFN10
RFN10BGE6STL Hakkında
RFN10BGE6STL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen hızlı iyileşmeli (fast recovery) doğrultma diyotudur. 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine ve maksimum 600V ters gerilim dayanımına sahiptir. 50ns ters iyileşme süresi (reverse recovery time) ile 200mA üzerinde hızlı çalışma sınıfında yer alır. Surface Mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bileşen, -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. İleri yönde maksimum 1.55V düşüş gösterir. Anahtarlamalı güç kaynakları, konvertörler ve yüksek frekanslı doğrultma uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 150°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252GE |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.55 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok