Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RFN10BGE3STL
RFN10BGE3S IS THE SILICON EPITAX
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RFN10BGE3S
RFN10BGE3STL Hakkında
RFN10BGE3STL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasiteli silicon epitaxial fast recovery diyotudur. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 350V reverse voltaj derecelendirilmesine sahiptir ve 30ns'lik hızlı geri kazanım süresine (reverse recovery time) sahiptir. 1.5V forward voltaj düşümü ile 10A akımda çalışır. Junction sıcaklığı 150°C'ye kadar dayanabilen bu diyot, güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılan yüksek hızlı doğrultma işlemleri için tasarlanmıştır. Surface mount montajı sayesinde modern elektronik tasarımlarında kolay entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 350 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 150°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-252GE |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 350 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok