Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

RF3S49092SM9A

P-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-263-6
Seri / Aile Numarası
RF3S49092SM9A

RF3S49092SM9A Hakkında

RF3S49092SM9A, Rochester Electronics tarafından üretilen N ve P-Channel Power MOSFET dizi bileşenidir. Logic Level Gate özelliğine sahip bu transistör, 12V Drain-Source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 60mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. Surface Mount teknolojisinde TO-263-6 (D²Pak) paketinde sunulur. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 50W güç tüketimi özelliğine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc), 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V, 24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 10V, 775pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Part Status Active
Power - Max 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 20A, 5V, 140mOhm @ 10A, 5V
Supplier Device Package TO-263-5
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok