Transistörler - FET, MOSFET - RF

RF2L16180CB4

180 W, 28 V, 1.3 TO 1.6 GHZ RF P

Paket/Kılıf
B4E
Seri / Aile Numarası
RF2L16180CB

RF2L16180CB4 Hakkında

RF2L16180CB4, STMicroelectronics tarafından üretilen 180W çıkış gücüne sahip LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) RF transistörüdür. 28V test voltajında ve 1.3-1.6 GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 14dB kazanç sağlayarak radyo frekans uygulamalarında güç amplifikasyonu işlevini yerine getirir. B4E paketinde sunulan RF2L16180CB4, telekomünikasyon sistemleri, broadcast uygulamaları ve endüstriyel RF sistemlerinde RF güç amplifikatörleri tasarımında kullanılır. 65V dereceli voltaj ve 600mA test akımı ile yüksek frekanslı uygulamalarda stabil çalışma karakteristiği gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 600 mA
Current Rating (Amps) 1µA
Frequency 1.6GHz
Gain 14dB
Package / Case B4E
Part Status Active
Power - Output 180W
Supplier Device Package B4E
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 65 V
Voltage - Test 28 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok