Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

RF1K4915496

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
RF1K4915496

RF1K4915496 Hakkında

RF1K4915496, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel power MOSFET transistördür. Surface mount 8-SOIC paket türünde sunulan bu bileşen, 60V drain-source voltaj kapasitesine ve 2A sürekli drain akımına sahiptir. 130mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlayan bu transistör, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 4V kapı eşik voltajı ile hızlı anahtarlama performansı sunar ve maksimum 2W güç disipasyonuna kadir olup, yüksek yoğunluklu entegre devreler ve taşınabilir cihazlar için uygun bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok