Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
RBR2VWM30ATR
LOW VF, 30V, 2A, SCHOTTKY BARRIE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 2-SMD
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RBR2VWM30A
RBR2VWM30ATR Hakkında
RBR2VWM30ATR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 30V, 2A kapasiteli Schottky bariyyer diyotudur. Düşük forward voltage (530 mV @ 2A) karakteristiği sayesinde güç kaybını minimize eder. Fast recovery özelliği (≤500ns) ile anahtarlama uygulamalarında hızlı commutation sağlar. Surface mount PMDE paket formatında tasarlanmış olup 150°C junction sıcaklığında çalışabilir. DC-DC konvertörleri, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve doğrultucu uygulamalarında kullanılır. 50 µA @ 30V reverse leakage karakteristiği ile sızıntı akımı kontrolü gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 30 V |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 150°C |
| Package / Case | 2-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | PMDE |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 530 mV @ 2 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok