Diyotlar - Doğrultucular - Diziler

RBR10BGE40ATL

40V, 10A, TO-252, CATHODE COMMON

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
RBR10BGE40ATL

RBR10BGE40ATL Hakkında

RBR10BGE40ATL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 40V/10A Schottky diyot çifti (common cathode konfigürasyonunda) olup SO-252 (DPak) paketinde sunulmaktadır. Fast recovery karakteristiği ile 500ns altında anahtarlama süresi gösteren bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve doğrultma uygulamalarında kullanılır. 620mV forward voltage düşüşü ve 120µA reverse leakage akımı ile verimli doğrultma performansı sağlar. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir operasyon sunar. Surface mount montaj türü sayesinde otomatik üretim hatlarına uygun bir tasarım sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 10A
Current - Reverse Leakage @ Vr 120 µA @ 40 V
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Diode Type Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction 150°C
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package TO-252GE
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 620 mV @ 5 A

Kaynaklar

Datasheet

RBR10BGE40ATL PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok