Transistörler - IGBT - Tekil
RBN75H65T1FPQ-A0#CB0
ABU / IGBT
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RBN75H65T1FPQ
RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 Hakkında
Renesas Electronics RBN75H65T1FPQ-A0#CB0, 650V/150A kapasiteli Trench IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum güç yayılımı 312W olup, Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 75A akımda 2V'dur. 54nC gate charge ve 72ns reverse recovery time özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Td(on) 29ns ve Td(off) 113ns (@25°C) ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu transistör, endüstriyel motor sürücüleri, güç kaynakları, enerji dönüştürme sistemleri ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Switching energy değerleri (on: 1.6mJ, off: 1mJ) ile enerji verimliliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 A |
| Gate Charge | 54 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 312 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 72 ns |
| Supplier Device Package | TO-247A |
| Switching Energy | 1.6mJ (on), 1mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 29ns/113ns |
| Test Condition | 400V, 75A, 16Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok