Transistörler - IGBT - Tekil
RBN50H65T1FPQ-A0#CB0
ABU / IGBT
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RBN50H65T1FPQ
RBN50H65T1FPQ-A0#CB0 Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen RBN50H65T1FPQ-A0#CB0, 650V Trench IGBT teknolojisine sahip bir güç transistörüdür. 100A maksimum collector akımı ve 250W güç yeteneği ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, 2V maksimum Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 36nC gate charge ve 65ns reverse recovery time özellikleri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu IGBT, indüktif yüklerin kontrolü, motor sürücüleri, tiyristor uygulamaları ve endüstriyel güç dönüştürme devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Standart input tipine sahip olan bileşen, 400V/50A test koşullarında değerlendirilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Gate Charge | 36 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 65 ns |
| Supplier Device Package | TO-247A |
| Switching Energy | 830µJ (on), 670µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/93ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 16Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok