Transistörler - IGBT - Tekil
RBN40H65T1FPQ-A0#CB0
ABU / IGBT
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RBN40H65T1FPQ
RBN40H65T1FPQ-A0#CB0 Hakkında
RBN40H65T1FPQ-A0#CB0, Renesas Electronics tarafından üretilen 650V/80A derecelendirilmiş bir Trench IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 185W maksimum güç yönetimi ve 2V Vce(on) değeriyle endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 28nC gate charge ve 22ns/96ns on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Maksimum çalışma sıcaklığı 175°C (TJ) olup, 55ns reverse recovery time ile iyileştirilmiş veri yolu ve inverted uygulamalarda tercih edilir. Sunucu, enerji dönüştürme, UPS ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Gate Charge | 28 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 185 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 55 ns |
| Supplier Device Package | TO-247A |
| Switching Energy | 620µJ (on), 520µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 22ns/96ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 16Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok