Transistörler - IGBT - Tekil
RBN40H125S1FPQ-A0#CB0
ABU / IGBT
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RBN40H125S1FPQ
RBN40H125S1FPQ-A0#CB0 Hakkında
Renesas Electronics Corporation tarafından üretilen RBN40H125S1FPQ-A0#CB0, 1250V Collector-Emitter Breakdown voltajında çalışan Trench tipi IGBT transistördür. Maksimum 80A kollektor akımı ile 319W güç yönetim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük Vce(on) değeri (2.34V @ 15V, 40A) sayesinde enerji kaybını minimize eder. 85nC gate charge ve 156ns reverse recovery time özellikleriyle hızlı komütasyon performansı sağlar. Endüstriyel sürücü devreler, güç kaynakları, invertör uygulamaları ve elektrik motor kontrolü sistemlerinde kullanıma uygundur. 175°C maksimum sıcaklıkta güvenli çalışma kapasitesi sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Gate Charge | 85 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 319 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 156 ns |
| Supplier Device Package | TO-247A |
| Switching Energy | 2mJ (on), 1.4mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/124ns |
| Test Condition | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.34V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1250 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok