Transistörler - IGBT - Tekil
RBN25H125S1FPQ-A0#CB0
ABU / IGBT
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RBN25H125S1FPQ
RBN25H125S1FPQ-A0#CB0 Hakkında
RBN25H125S1FPQ-A0#CB0, Renesas Electronics tarafından üretilen Trench IGBT transistördür. 1250V collector-emitter breakdown voltajı ve 50A maksimum collector akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 223W maksimum güç dağılımı kapasitesine ve 56nC gate yükü karakteristiğine sahiptir. Düşük switching energy değerleri (on: 1.1mJ, off: 800µJ) ile hızlı komütasyon gerçekleştir. 175°C maksimum işletme sıcaklığında çalışabilen bu transistör, endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, inverter ve konvertör uygulamalarında tercih edilir. Standard input tipi ile standart drive devrelerle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Gate Charge | 56 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 223 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 102 ns |
| Supplier Device Package | TO-247A |
| Switching Energy | 1.1mJ (on), 800µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 19ns/109ns |
| Test Condition | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.34V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1250 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok