Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
RB218NS150FHTL
SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- RB218NS150
RB218NS150FHTL Hakkında
RB218NS150FHTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen AEC-Q101 sertifikalı Schottky Barrier Diode'dir. 1 Pair Common Cathode konfigürasyonunda tasarlanan bu diyot dizisi, 20A ortalama doğrultma akımı ve 150V maksimum ters voltaj ile çalışır. 880 mV ileri gerilim düşümü (10A'de) ve 14.8 ns ters geri kazanım süresi (trr) ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Surface Mount TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bileşen, -40°C ile +150°C (junction) sıcaklık aralığında stabil çalışma performansı gösterir. Automotive uygulamaları, güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler ve yüksek akımda doğrultma işlemleri gerektiren devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 20A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 150 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 14.8 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | LPDS |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880 mV @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok