Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
RB088NS200FHTL
200V, 10A SUPER LOW IR TYPE AUTO
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- RB088NS200
RB088NS200FHTL Hakkında
RB088NS200FHTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 200V, 10A kapasiteli Schottky diyot çiftidir. Ortak katot (Common Cathode) konfigürasyonunda tasarlanmış bu bileşen, düşük ters sızıntı akımı (7µA @ 200V) ve hızlı kurtarma özellikleri ile doğrultucu devreler için optimize edilmiştir. Maksimum 880mV forward voltaj @ 5A ile verimli güç dönüşümü sağlar. TO-263-3 D²Pak paketinde sunulan komponent, 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Güç kaynakları, AC/DC konverterler, inverterler ve diğer doğrultma uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 7 µA @ 200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880 mV @ 5 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok