Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

QSX1TR

TRANS NPN 12V 6A TSMT6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
QSX1TR

QSX1TR Hakkında

QSX1TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-6 (TSMT6) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 6A collector akımı ve 12V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 250MHz transition frequency ve 270 minimum DC current gain (hFE) özellikleri ile kontrol devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde yer alır. 1.25W maksimum güç derecelendirilmesi ve 150°C çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 6 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power - Max 1.25 W
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 60mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok