Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

QS8M51TR

MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
QS8M51TR

QS8M51TR Hakkında

QS8M51TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual MOSFET transistör dizisidir. N-channel ve P-channel transistörleri aynı pakette içeren bu komponent, 100V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 2A (N-channel) ve 1.5A (P-channel) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile düşük gate gerilim kontrol gereksinimlerine sahip olup, 325mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount TSMT8 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlamalı güç kaynakları tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A, 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Active
Power - Max 1.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 325mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok