Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

QS8M31TR

QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
QS8M31

QS8M31TR Hakkında

QS8M31TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen kompleks tip MOSFET dizisidir. N-Kanal ve P-Kanal transistörlerden oluşan bu bileşen, 60V Drain-Source gerilimi ve 3A (N-Kanal) / 2A (P-Kanal) sürekli dren akımı ile çalışır. 112mOhm (N-Kanal) ve 210mOhm (P-Kanal) RDS(on) değerleriyle düşük açık direnci sağlar. 2.5V-3V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. 1.1W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Surface Mount 8-SMD Flat Lead paketi içinde sunulan bu transistör dizisi, güç yönetimi, anahtarlama ve sürücü uygulamalarında, özellikle DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrolünde ve Power Management IC tasarımlarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta), 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Active
Power - Max 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok