Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

QS8M13TCR

MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
QS8M13TCR

QS8M13TCR Hakkında

QS8M13TCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen tamamlayıcı N-kanallı ve P-kanallı MOSFET dizisidir. 30V Vdss ile tasarlanan bu bileşen, N-kanalında 6A ve P-kanalında 5A sürekli drenaj akımı sağlar. Logic level gate özelliğine sahip olan transistör, 28mOhm Rds(on) ile düşük iletim direncine ve 5.5nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansına sahiptir. 2.5V kapı eşik gerilimi sayesinde düşük kontrol gerilimi gerektirir. 8-SMD yassı lead paketinde sunulan bileşen, güç yönetimi, sürücü devreleri, AC-DC adaptörleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A, 5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Active
Power - Max 1.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok