Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
QS8M12TCR
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Seri / Aile Numarası
- QS8M12TCR
QS8M12TCR Hakkında
QS8M12TCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen tamamlayıcı N-channel ve P-channel MOSFET dizisidir. 30V drain-source gerilim derecesi ve 4A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. Logic level gate özelliğine sahip transistör, 5V sürücü devrelerine doğrudan bağlanabilir. 42mOhm maksimum on-direnci ve 1.5W güç derecelendirmesi ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. 150°C çalışma sıcaklığı ve Surface Mount TSMT8 paketi ile kompakt PCB tasarımlarında kullanılır. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok