Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

QS8K13TCR

MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
QS8K13TCR

QS8K13TCR Hakkında

QS8K13TCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 6A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 28mΩ on-state direnci ve 20nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Surface mount TSMT8 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, aydınlatma devreleri ve genel amaçlı switching uygulamalarında tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında ve 550mW maksimum güç dağılımında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Active
Power - Max 550mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok