Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

QS8J13TR

MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
QS8J13TR

QS8J13TR Hakkında

QS8J13TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi (Vdss) ve 5.5A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliğiyle düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalıştırılabilir. 22mOhm RDS(on) değeriyle verimli anahtarlama performansı sağlar. Surface mount TSMT8 paketinde sunulan bu bileşen, 150°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir çalışır. 60nC gate charge ve 6300pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücüler ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6300pF @ 6V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Active
Power - Max 1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 5.5A, 4.5V
Supplier Device Package TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok