Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

QS8J12TCR

MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
QS8J12TCR

QS8J12TCR Hakkında

QS8J12TCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET'tir. 12V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle, düşük seviye lojik sinyal (1.5V) ile tahrik edilebilir. 29mOhm (4.5A, 4.5V) RDS(On) değeri ile düşük açılış direncine sahiptir. 8-pin SMD flat lead paketlemesiyle, kompakt tasarımlarda gemi sürücüleri, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 550mW güç kapasitesi sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
FET Feature Logic Level Gate, 1.5V Drive
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 6V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Active
Power - Max 550mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Supplier Device Package TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok