Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
QS8J11TCR
MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Seri / Aile Numarası
- QS8J11TCR
QS8J11TCR Hakkında
QS8J11TCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source geriliminde 3.5A sürekli drain akımı sağlayabilen bu bileşen, logic level gate kontrolü ile 1.5V sürüş voltajında çalışır. 43mOhm Rds(on) değeri ile güç kaybı sınırlandırılmıştır. 550mW maksimum güç dağıtımına sahip olan bileşen, surface mount TSMT8 8-pin paketinde sunulmaktadır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve düşük gerilim güç dağıtım sistemlerinde kullanılır. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 550mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSMT8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok