Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
QS6M4TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- QS6M4TR
QS6M4TR Hakkında
QS6M4TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual MOSFET transistör çipsidir. N-channel ve P-channel kanalları bir paket içinde barındıran bu bileşen, maksimum 30V (N-CH) ve 20V (P-CH) drain-source geriliminde 1.5A sürekli akım sağlayabilir. Logic level gate özelliğine sahip olması, düşük gate gerilim seviyelerinde kontrol edilebilmesini mümkün kılar. Minimal 1.6nC gate charge ve 80pF input capacitance ile hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. 230mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount TSMT6 paketinde sunulan bu MOSFET, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -150°C'ye kadar sıcaklık dayanıklılığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok