Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
QS6M3TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- QS6M3TR
QS6M3TR Hakkında
QS6M3TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual N ve P-channel MOSFET transistörüdür. SOT-23-6 (TSMT6) paketinde sunulan bu entegre devre, 30V ve 20V drain-source gerilim değerleriyle çalışır. Logic level gate sürücüleme özelliğine sahip olan transistör, 1.5A sürekli dren akımında 230mOhm maksimum RDS(on) direnci gösterir. Gate charge değeri 1.6nC (4.5V'da) olan QS6M3TR, düşük enerji tüketimi gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 1.25W güç yayılımı kapasitesiyle, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve sinyal anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok