Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

QS6K1TR

MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
QS6K1

QS6K1TR Hakkında

QS6K1TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 30V drain-source voltajında 1A sürekli akım kapasitesi ile çalışır. SOT-23-6 yüzey montajlı paketinde sunulan transistör, düşük gate charge (2.4nC) ve düşük on-state direnci (238mOhm @ 1A, 4.5V) ile tercih edilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 1.25W güç dağıtımı yapabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve genel analog/dijital anahtarlama işlevlerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 77pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power - Max 1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 238mOhm @ 1A, 4.5V
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok