Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

QS6K1FRATR

2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRE

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
QS6K1FR

QS6K1FRATR Hakkında

QS6K1FRATR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source voltaj ve 1A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, düşük geçiş direnci (238mΩ @ 1A, 4.5V) sayesinde verimli güç dağıtımı sağlar. 2.5V logic level gate özelliği, düşük voltaj kontrol devrelerinde kullanım için uygundur. Gate charge'ı 2.4nC ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. SOT-23-6 yüzey montaj paketiyle sağlanan komponent, 150°C işletme sıcaklığına kadar dayanır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve dijital elektronik tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate, 2.5V Drive
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power - Max 900mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 238mOhm @ 1A, 4.5V
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok