Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

QS6J3TR

MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
QS6J3TR

QS6J3TR Hakkında

QS6J3TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistörüdür. Maksimum 20V drain-source voltajında 1.5A sürekli dren akımı sağlar. Logic level gate kontrolü ile 4.5V gate voltajında 215mOhm on-resistance karakteristiği gösterir. SOT-23-6 yüzey montajlı paket tipinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (3nC) ve kompakt boyutu sayesinde hızlı switchingli güç yönetimi devreleri, load switching, motor kontrol ve sinyal anahtarlamada tercih edilir. 150°C çalışma sıcaklığı ile geniş termal aralıkta çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power - Max 1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 215mOhm @ 1.5A, 4.5V
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok