Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

QS6J1TR

MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
QS6J1TR

QS6J1TR Hakkında

QS6J1TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 1.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip olan bu bileşen, düşük voltaj sinyalleri ile kontrol edilebilmektedir. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan QS6J1TR, 215mOhm on-resistance ile verimli anahtarlama sağlar. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (150°C) sayesinde endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanılır. Batarya yönetimi, güç dağıtımı, motor kontrol ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power - Max 1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 215mOhm @ 1.5A, 4.5V
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok