Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
QS6J11TR
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- QS6J11TR
QS6J11TR Hakkında
QS6J11TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltaj ve 2A sürekli drenaj akımı özelliğine sahiptir. Logic level gate ile kontrol edilebilen bu bileşen, düşük gate charge (6.5nC) ve düşük RDS(on) direnci (105mΩ @ 2A, 4.5V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında enerji verimliliği sağlar. SOT-23-6 paket formatında surface mount olarak tasarlanmıştır. 150°C maksimum işletme sıcaklığında 600mW güç harcayabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, sinyal anahtarlaması ve analog/dijital anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 600mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TSMT6 (SC-95) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok