Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

QS5Y2FSTR

PNP+NPN DRIVER TRANSISTOR. DEVI

Paket/Kılıf
SOT-23-5 Thin
Seri / Aile Numarası
QS5Y2FSTR

QS5Y2FSTR Hakkında

QS5Y2FSTR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP ve NPN transistörlerden oluşan entegre bir driver transistör dizisidir. SOT-23-5 yüzey montajlı paketle sunulan bu komponent, 3A maksimum kolektör akımı ve 180 minimum DC akım kazancı (hFE) ile çalışır. 320MHz transition frekansı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 50V kolektör-emiter breakdown voltajı ve 500mW maksimum güç dissipasyonu ile tasarlanmıştır. Vce doyum voltajı 350mV/400mV olarak belirtilmiştir. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, darbe şekil oluşturma, sürücü devreleri, inverter ve lojik seviye çevirme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 50mA, 3V
Frequency - Transition 320MHz, 300MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Part Status Active
Power - Max 500mW
Supplier Device Package TSMT5
Transistor Type NPN, PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 50mA, 1A, 400mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok