Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
QJD1210SA2
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
- Üretici
- Powerex, Inc.
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- QJD1210SA2
QJD1210SA2 Hakkında
QJD1210SA2, Powerex Inc. tarafından üretilen 1200V/100A kapasiteli ikili N-Channel SiC MOSFET modülüdür. Chassis mount tipi paket ile sunulan bu transistör, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 17mΩ'luk on-resistance değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Drain-Source voltajı 1200V, kontinü dren akımı 100A'dir. Gate Charge 330nC @ 15V, Input Capacitance ise 8200pF @ 10V'tur. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum güç kaybı 415W'tır. Güç dönüştürme, invertör ve endüstriyel sürücü uygulamalarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8200pF @ 10V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 415W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 100A, 15V |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 34mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok