Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
QJD1210SA1
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
- Üretici
- Powerex, Inc.
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- QJD1210SA
QJD1210SA1 Hakkında
QJD1210SA1, Powerex, Inc. tarafından üretilen 1200V 100A kapasiteli dual N-Channel SiC MOSFET transistör dizisidir. Chassis mount modül tipi pakette sunulan bu bileşen, 520W maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir. 17mOhm RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Yüksek voltaj uygulamalarında, endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde, inverterlerde ve motor sürücülerinde kullanılır. 330nC gate charge ve 8200pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özelliği sunar. Şu anda üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8200pF @ 10V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 520W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 100A, 15V |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 34mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok