Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
QJD1210011
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
- Üretici
- Powerex, Inc.
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- QJD1210011
QJD1210011 Hakkında
QJD1210011, Powerex tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı dual N-Channel MOSFET modülüdür. 1200V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu transistör, yüksek gerilim güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 25mOhm on-resistance değeri ile enerji verimliliği sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel invertörler, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Modüler yapısı sayesinde chassis mount ile kolay entegrasyona olanak tanır. 500nC gate charge ve 10200pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 500nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 100A, 20V |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok