Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
QJD1210010
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
- Üretici
- Powerex, Inc.
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- QJD1210010
QJD1210010 Hakkında
QJD1210010, Powerex Inc. tarafından üretilen 1200V 100A kapasiteli dual N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET modülüdür. Yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 25mOhm maksimum gate-source direnci ve 500nC gate charge değeriyle tasarlanmıştır. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen modül, 1080W maksimum güç kapasitesine sahiptir. Endüstriyel güç elektronikleri, konvertörler, invertörler ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir. Chassis mount tipi montaj yapısı ile sabit kurulum gerektiren endüstriyel sistemlerde yer almaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 500nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1080W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 100A, 20V |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok