Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

QH8MC5TCR

60V 3.0A/3.5A, DUAL NCH+PCH, TSM

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
QH8MC5TCR

QH8MC5TCR Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen QH8MC5TCR, 60V Drain-Source gerilimi ile çalışan dual kanal MOSFET transistördür. Tek paket içinde N-Channel ve P-Channel transistörleri barındıran bu komponent, 3.0A ve 3.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 90mOhm ile 91mOhm arasında RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount TSM paketi ile PCB tasarımlarında kompakt entegrasyon sunarak anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum bağlantı sıcaklığında çalışma yeteneği ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Active
Power - Max 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 10V, 91mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok