Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

QH8MA2TCR

MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
QH8MA2TCR

QH8MA2TCR Hakkında

QH8MA2TCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel ve P-channel MOSFET dizisidir. 30V drain-source gerilimde çalışan bu bileşen, N-kanala 4.5A ve P-kanala 3A sürekli drenaj akımı sağlar. Logic Level Gate özelliği ile düşük kapı geriliminde (2.5V eşik gerilimine kadar) çalışabilir. 35mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. Surface Mount TSMT8 paketinde sunulan QH8MA2TCR, güç yönetimi, motor sürücüleri, DC/DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır. 150°C işletme sıcaklığı ile yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A, 3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 365pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Active
Power - Max 1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok