Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

QH8M22TCR

QH8M22 IS THE HIGH RELIABILITY T

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
QH8M22

QH8M22TCR Hakkında

QH8M22TCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek güvenilirlik standarındaki komplementer MOSFET dizisidir. N-kanal ve P-kanal transistörleri tek pakette içeren bu bileşen, 40V maksimum drain-source voltajında çalışmaktadır. 4.5A (N-kanal) ve 2A (P-kanal) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Düşük on-dirençi (46mOhm N-kanal, 190mOhm P-kanal) sayesinde enerji verimliliği sağlar. 8-SMD flat lead paketinde sunulan bileşen, 150°C'ye kadar sıcaklıklarda çalışabilmektedir. Gate charge ve input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta), 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 193pF @ 20V, 450pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Active
Power - Max 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok