Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

QH8KC6TCR

60V 5.5A, DUAL NCH+NCH, TSMT8, S

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
QH8KC6TCR

QH8KC6TCR Hakkında

QH8KC6TCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilimi ve 5.5A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 30mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaypılı işlem sağlar. TSMT8 SMD paketinde sunulan komponent, 150°C maksimum işletme sıcaklığında stabil performans gösterir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 30V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Active
Power - Max 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok