Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

QH8KA1TCR

30V NCH+NCH POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
QH8KA1TCR

QH8KA1TCR Hakkında

QH8KA1TCR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel Power MOSFET'tir. 30V Drain to Source gerilimi ve 4.5A sürekli akım kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 73mOhm on-state direnci (RDS on) ve düşük gate charge (3nC) ile verimli anahtarlama sağlar. Surface mount 8-SMD Flat Lead pakajda sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, güç yönetimi, LED kontrolü ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışır ve 2.4W maksimum güç yayabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 125pf @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Active
Power - Max 2.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 73mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok