Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

PZT751T1G

TRANS PNP 60V 2A SOT223

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
PZT751

PZT751T1G Hakkında

PZT751T1G, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük sinyal ve orta güç uygulamalarında kullanılır. 60V maksimum kolektor-emitter gerilimiyle ve 2A maksimum kolektör akımıyla, anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde çalışabilir. 75 MHz geçiş frekansı ile yüksek hızlı devre tasarımlarında uygundur. 800mW maksimum güç yayılımı kapasitesiyle, güç tüketimi düşük-orta seviyedeki elektronik devrelerde tercih edilir. SOT-223 yüzey montaj paketlemesiyle kompakt PCB tasarımlarına uyumludur. Ses amplifikatörleri, DC-DC dönüştürücüleri, tetikleme devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition 75MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package SOT-223 (TO-261)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok