Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
PZT651T1G
TRANS NPN 60V 2A SOT223
PZT651T1G Hakkında
PZT651T1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-223 (TO-261-4) yüzey montajlı paket ile sunulan bu transistör, 60V maksimum Vce dağılma voltajına ve 2A maksimum kolektör akımına sahiptir. 75MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalar için tasarlanmıştır. 800mW güç tüketimi kapasitesi ile anahtarlama devreleri, genel amaçlı amplifikasyon ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. Minimum 75 DC akım kazancı (hFE @ 1A, 2V) ve 500mV saturasyon voltajı ile verimli anahtar uygulamaları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve düşük seviyelik kontrol devreleri, ses-frekans amplifikatörleri ve genel endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 75 @ 1A, 2V |
| Frequency - Transition | 75MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok