Transistörler - FET, MOSFET - RF
PTFB193408SVV1XWSA1
IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- H-34275G-6/2
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- PTFB193408SVV1XWSA1
PTFB193408SVV1XWSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen PTFB193408SVV1XWSA1, RF uygulamaları için tasarlanmış dual LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) transistördür. Common Source konfigürasyonunda çalışan bu bileşen, 1.99 GHz frekans bandında 80W çıkış gücü sağlamaktadır. 65V nominal çalışma gerilimi ve 30V test geriliminde 2.65A akım kapasitesi ile RF güç amplifikatörleri, radyo frekans haberleşme cihazları ve endüstriyel RF uygulamalarında kullanılır. H-34275G-6/2 pakajında sunulan bileşen, 19dB kazanç karakteristiği ile RF devrelerinde sinyal yükseltme işlevini yerine getirir. Üretim bitmiş durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 2.65 A |
| Frequency | 1.99GHz |
| Gain | 19dB |
| Package / Case | H-34275G-6/2 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 80W |
| Supplier Device Package | H-34275G-6/2 |
| Transistor Type | LDMOS (Dual), Common Source |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok