Transistörler - FET, MOSFET - RF

PTFB193408SVV1R250XTMA1

IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2

Paket/Kılıf
H-34275G-6/2
Seri / Aile Numarası
PTFB193408SVV1R250XTMA1

PTFB193408SVV1R250XTMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen PTFB193408SVV1R250XTMA1, RF uygulamaları için tasarlanmış dual LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) transistördür. Common Source konfigürasyonunda çalışan bu bileşen, 1.99 GHz frekansında 19 dB kazanç sağlarken 80W çıkış gücü sunmaktadır. 65V nominal voltaj ve 30V test voltajında 2.65A test akımı ile karakterize edilen transistör, radyo frekans güç amplifikatörleri, kablosuz iletişim sistemleri ve endüstriyel RF uygulamalarında kullanılmaktadır. H-34275G-6/2 pakete sahip bu bileşen, üretim sürümü durdurulmuş olup mevcut tasarımlar için arşiv referansı olarak değerlendirilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 2.65 A
Frequency 1.99GHz
Gain 19dB
Package / Case H-34275G-6/2
Part Status Obsolete
Power - Output 80W
Supplier Device Package H-34275G-6/2
Transistor Type LDMOS (Dual), Common Source
Voltage - Rated 65 V
Voltage - Test 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok