Transistörler - FET, MOSFET - RF
PTFA261702E V1
IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SOT-957A
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- PTFA261702E
PTFA261702E V1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen PTFA261702E V1, RF uygulamaları için tasarlanmış bir LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) transistördür. 170W çıkış gücü ile yüksek güç RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 2.66 GHz frekans işletme aralığında 15dB kazanç sağlayarak, 28V test voltajında 1.8A akım kapasitesiyle çalışır. 65V nominal voltaj derecelendirilmesi ile tasarlanmıştır. H-30275-4 paket tipinde sunulan bu komponent, 2-Flatpack Fin Leads konfigürasyonuna sahiptir. Mobil iletişim, broadcast ve endüstriyel RF uygulamalarında RF güç amplifikatörleri olarak uygulanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1.8 A |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 2.66GHz |
| Gain | 15dB |
| Package / Case | 2-Flatpack, Fin Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 170W |
| Supplier Device Package | H-30275-4 |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok