Transistörler - FET, MOSFET - RF
PTFA191001EV4XWSA1
IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SOT-957A
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- PTFA191001EV4XWSA1
PTFA191001EV4XWSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen PTFA191001EV4XWSA1, 100W çıkış gücü sağlayan RF LDMOS transistördür. 1.96GHz çalışma frekansında 44dBm güç çıkışı ve 17dB kazanç sunmaktadır. 65V nominal gerilim derecesi ile tasarlanmış olup, 30V test geriliminde 900mA test akımında çalışmaktadır. H-36248-2 paket tipinde yer alan bu bileşen, 2-Flatpack Fin Leads yapısına sahiptir. GSM, UMTS ve benzeri RF uygulamalarında güç amplifikasyonu gerektiren sistemlerde kullanılır. Ürün şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 900 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 1.96GHz |
| Gain | 17dB |
| Package / Case | 2-Flatpack, Fin Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 44dBm |
| Supplier Device Package | H-36248-2 |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok